Infineon BSZ100N03MSGATMA1

2.1W 16V 1V 8.3NC@ 4.5V, 17NC@ 10V 1N 30V 9.1M¦¸@ 10V 40A 1.3NF@ 15V Son , 3.3MM*3.3MM*1.1MM
$ 0.271
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Future Electronics
2
BSZ100N03MSGATMA15 0005KTape & Reel
Rochester ElectronicsBSZ100N03MSGATMA124 084
4h
DigiKey
2
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND191Cut Tape
NewarkBSZ100N03MSGATMA101Cut Tape
AvnetBSZ100N03MSGATMA105K
3d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BSZ100N03MSGATMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 15 ans
Datasheet11 pagesIl y a 4 ans

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
Détails
onsemiFDMS3660S
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 60A/145A 8-Pin Power 56 T/R
Détails
onsemiNTD70N03RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 75A 1.87W 1.3ns
Détails
InfineonIRFH7914TRPBF
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN-5 x 6 mm
Détails
InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Détails
onsemiFDD8780
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 25V, 35A, 8.5mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSZ100N03MSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

2.1W 16V 1V 8.3nC@ 4.5V,17nC@ 10V 1N 30V 9.1m¦¸@ 10V 40A 1.3nF@ 15V SON , 3.3mm*3.3mm*1.1mm
Unikeyic (ICkey)
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
Win Source
10 A 30 V 0.0114 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Component Stockers USA
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.0114ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
DigiKey
BSZ100N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
DigiKey Marketplace
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Images

Farnell
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSZ100N03MS G
  • BSZ100N03MSG
  • SP000311510