onsemi FDD8780
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIPD040N03LGATMA1
N-Channel 30 V 90 A 4 mOhm Surface Mount OptiMOS Power-Transistor - PG-TO252-3
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD8780 fournies par ses distributeurs.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 25V, 35A, 8.5mΩ
N-Channel 25 V 35 A 8.5 mOhm PowerTrench® MOSFET- TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 25V, 35A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 35A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V;
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité