onsemi FDMS3660S
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTD70N03RT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 75A 1.87W 1.3ns
VishaySIS330DN-T1-GE3
SIS330DN-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 19 A, 30 V, 8-PIN POWEPAK 1212
VishaySIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15.5 A, 30 V, 8-PIN POWERPAK SO
InfineonIRFH7914TRPBF
Single N-Channel 30 V 8.7 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN-5 x 6 mm
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS3660S fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 60A/145A 8-Pin Power 56 T/R
Avnet Japan
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Stage MOSFET 30V
Dual N-Channel 30 V 8 /1.8 mO 21 / 62 nC PowerTrench Asymmetric Mosfet - Power56
Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, POWER 56-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight171 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.765 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.5 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1 W
Rds On Max8 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time7.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.9 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité