Infineon BSG0811NDATMA1

Mosfet 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON / Trans Mosfet N-ch 25V 31A/50A 8-PIN Tison Ep T/r
$ 1.021
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSG0811NDATMA13 2851Cut Tape
Arrow Electronics
3
BSG0811NDATMA11 5791
Future ElectronicsBSG0811NDATMA15 0005KTape & Reel
Rochester ElectronicsBSG0811NDATMA1121 889
21h
DigiKey
3
BSG0811NDATMA1CT-ND56 3361Cut Tape

Fiches techniques et documents

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Datasheet14 pagesIl y a 0 an

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonBSG0813NDIATMA1
Mosfet, Dual, N-Ch, 25V, Tison Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSG0813NDIATMA1
Détails
onsemiFDMS2510SDC
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 25V 28A 8-Pin Power 56 T/R
Détails
InfineonBSG0810NDIATMA1
Mosfet, dual, N-Ch, 25V, 50A, Tison Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1
Détails
International RectifierIRF6810STRPBF
Trans MOSFET N-CH 25V 16A 6-Pin Direct-FET S1 T/R
Détails
STMicroelectronicsSTD70N2LH5
Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails
onsemiNTD4865NT4G
Power MOSFET 25V 44A 10.9 mOhm Single N Channel DPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSG0811NDATMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON / Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
Win Source
6.25KW 16V 2V 5.6nC@ 4.5V @ Q1,20nC@ 4.5V @ Q2 1N,2N 25V 3m¦¸@ 10V @ Q 1,800¦Ì¦¸@ 10V @ Q 2 50A 780pF@ 12V @ Q 1,2.7nF@ 12V @ Q 2 TISON(EP) , 1.1mm
UnikeyIC
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 50A, TISON; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Power Dissipation Pd: 6.25W; Transistor Case Style: TISON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS 5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Mosfet, N-Ch, 25V, 50A, 150Deg C, 6.25W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:25V; Drain Source Voltage Vds P Channel:25V; Continuous Drain Current Id N Channel:50A; Continuous Drain Current Id P Channel:50A Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSG0811NDATMA1
Newark
OptiMOS™ 5 Power Block is a leadless SMD package in a 5.0x6.0mm² package outline, including a low-side and a high-side MOSFET in a synchronous buck converter configuration. By replacing two separate discrete packages, such as SO8 or SuperSO8, with the OptiMOS™ 5 Power Block, customers can shrink their designs up to 85%. Standardizing power packages benefits the customer, as the number of different package outlines available in the market place is minimized.
Infineon

Images

Newark
TME
RS
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSG0811ND
  • SP001075902