International Rectifier IRF6810STRPBF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFH5255TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descriptions
Descriptions de International Rectifier IRF6810STRPBF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 25V 16A 6-Pin Direct-FET S1 T/R
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
TAPE AND REEL / 25V 999.000A DIRECTFET-LV
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET S1 package rated at 16 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
Benefits: RoHS Compliant; 100% Rg tested; Low Profile (less than 0.7 mm); Dual Sided Cooling; Optimized for Control FET Applications; Optimized for High Frequency Switching; Low Package Inductance | Target Applications: MultiPhase ControlFET
Alias du fabricant
International Rectifier possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. International Rectifier peut également être connu sous les noms suivants :
- I&R
- IRF
- IOR
- INT'L RECTIFIER
- INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- INTERNATIONAL RECTIF
- RECT
- INT RECTIFIER
- OMNIREL
- INTERNATIO
- INT RECT
- SEMCOR
- INTLRECT
- INTERNATIONA
- INTERNATIONAL R
- INTERNATIONAL MICROCIRCUITS
- InternationRectifer
- INTER RECTIFIER
- International Rectifier (IR)
- INTERNATI
- IR - International Rectifier
- INTERNATIONAL RECT
- INTERNATIONAL RECTIFIER SE
- INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
- INTER REC
- IR
- International Rect.
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.038 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.2 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time8.2 ns
Dimensions
Height740 µm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité