Infineon BSC265N10LSFGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP
$ 0.435
NRND
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
BSC265N10LSFGATMA12 1651Cut Tape
Arrow ElectronicsBSC265N10LSFGATMA119 5851
RutronikTMOSP96115 0005K
23h
DigiKey
3
BSC265N10LSFGATMA1CT-ND14 9971Cut Tape
Avnet
2
BSC265N10LSFGATMA105K
18h

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-14
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

onsemiFDB86102LZ
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 30A, 24mΩ
Détails
InfineonAUIRFR2607Z
Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
Détails
VishaySIS890DN-T1-GE3
N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
Détails
onsemiFDMS86103L
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 81A, 8mΩ
Détails
VishaySIS892ADN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 28A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continu
Détails
onsemiFQB33N10LTM
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 100 V, 33 A, 52 mΩ, D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC265N10LSFGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A Automotive 8-Pin TDSON EP
Verical
MOSFET Devices; INFINEON; BSC265N10LSFGATMA1; 100 V; 40 A; 20 V; 78 W
Maritex
78W 20V 16nC@ 10V 1N 100V 26.5m¦¸@ 10V 1.2nF@ 50V TDSON-8 , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
UnikeyIC
Conn Unshrouded Header HDR 20 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.0265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Semicontronic
N-CH 100V 40A 26.5mOhm TDSON-8
Rutronik
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
BSC265N10LSFG INFINEON TDSON-8
IC Components Ltd.
MOSFET, N CH, 40A, 100V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:78W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
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Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC265N10LSF G
  • BSC265N10LSFG
  • SP000379618