Vishay SIS892ADN-T1-GE3

MOSFET, N-CH, 100V, 28A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity: N Channel; Continu
$ 0.521
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay SIS892ADN-T1-GE3.

Newark

Datasheet13 pagesIl y a 10 ans
Datasheet13 pagesIl y a 10 ans
Datasheet13 pagesIl y a 11 ans

Farnell

TME

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+0.11%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Vishay SIS892ADN-T1-GE3, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Ultra Librarian
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

N-Channel 100 V 23.5 mOhm 52 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
onsemiFDD86102
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 36 A, 24 mΩ
N-Channel 80 V 19.5 mOhm 52 W TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
InfineonIRFR540ZPBF
Single N-Channel 100 V 28.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Trans MOSFET N-CH Si 100V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Descriptions

Descriptions de Vishay SIS892ADN-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.

MOSFET, N-CH, 100V, 28A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continu
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
MOSFET Devices; VISHAY; SIS892ADN-T1-GE3; 100 V; 7.4 A; 20 V; 3.7 W
MOSFET 100V 33MOHM@10V 28A N-CH MV T-FET
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Vishay NMOS, Vds=100 V, 28 A, PowerPAK 1212-8, , 8
MOSFET, N-CH, 100V, PPAK-1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SIS892ADN-T1-GE3.