Infineon BSC032NE2LSATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
$ 0.335
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC032NE2LSATMA13 0641Cut Tape
Arrow Electronics
3
BSC032NE2LSATMA110 0001
Rochester ElectronicsBSC032NE2LSATMA116 356
23h
DigiKey
2
BSC032NE2LSATMA1CT-ND1 3831Cut Tape
Future Electronics
2
BSC032NE2LSATMA105KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Détails
InfineonIRF8788TRPBF
Single N-Channel 30 V 2.8 mOhm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonBSC030N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Détails
onsemiFDMS7660
N-Channel 30 V 2.8 mOhm Surface Mount Power Trench Mosfet - Power 56
Détails
onsemiFDMS7660AS
N-Channel 30 V 42 A 2.4 mOhm Surface Mount PowerTrench® SyncFETTM - Power56
Détails
onsemiFDMS8020
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 131A, 2.5mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC032NE2LSATMA1 fournies par ses distributeurs.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 84A; 37W; PG-TDSON-8
Epart123
2.5W 20V 2V 7.7nC@ 4.5V,16nC@ 10V 1N 25V 3.2m¦¸@ 10V 84A 1.2nF@ 12V SON , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
UnikeyIC
Trans MOSFET N-CH 25V 22A 8-Pin TDSON T/R
Avnet
Compliant Surface Mount Contains Lead Tape & Reel 2.8 ns 3.2 mΩ Halogen Free
Augswan
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 25V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).
Infineon
MOSFET, N-CH, 25V, 84A, TDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 84A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 37W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Images

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TME
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RS APAC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC032NE2LS
  • SP000854378