onsemi FDMS8020
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-11-16
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2023-03-30
LTD Date2023-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonBSC018NE2LSATMA1
2.5W 20V 2V 39nC 1N 25V 1.8m¦¸@ 10V 100A 2.8nF@ 12V SON , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
InfineonBSC020N03LSGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0017 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS8020 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 131A, 2.5mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin Power 56 T/R
MOSFET 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET
2.5W(Ta),65W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 61nC@ 10 V 1N 30V 2.5m¦¸@ 26A,10V 26A,42A 3.8nF@15V QFN 6mm*5mm*1.1mm
MOSFET, N-CH, 30V, 131A, PQFN;
Fet 30V 2.5 Mohm Pqfn56 Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 30V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(on), fast switching speed, and body diode reverse-recovery performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation65 W
Rds On Max2.5 mΩ
Rise Time5.7 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Width6 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité