Infineon BSC030N03LSGATMA1

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
$ 0.399
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC030N03LSGATMA14 1481
Arrow Electronics
2
BSC030N03LSGATMA14 9751
Future Electronics
2
BSC030N03LSGATMA15 0005KTape & Reel
RutronikTMOSP95825 0005K
43m
DigiKey
3
BSC030N03LSGATMA1CT-ND19 5421Cut Tape

Fiches techniques et documents

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element14 APAC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemiFDMS7660
N-Channel 30 V 2.8 mOhm Surface Mount Power Trench Mosfet - Power 56
Détails
InfineonIRF8788TRPBF
Single N-Channel 30 V 2.8 mOhm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Détails
InfineonIRF8788PBF
IRF8788PBF N-channel MOSFET Transistor,24 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Détails
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Détails
onsemiFDMS8020
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 131A, 2.5mΩ
Détails
onsemiFDS6699S
N-Channel 30 V 3.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC030N03LSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 0.0025 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
EBV Elektronik
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:69W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:69W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Images

RS APAC
element14 APAC
Augswan
TME
Burklin Elektronik
LZChips
iiiC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC030N03LS G
  • BSC030N03LSG
  • SP000237661