Infineon BSC014N04LSIATMA1

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Surface Mount
$ 0.958
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetBSC014N04LSIATMA110 0005K
2d
Newark
2
BSC014N04LSIATMA121 8635Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC014N04LSIATMA14 8001
Future Electronics
2
BSC014N04LSIATMA120 0005KTape & Reel
RutronikTMOSP108795 0005K
2h

Fiches techniques et documents

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element14 APAC

Datasheet11 pagesIl y a 12 ans

Infineon SCT

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonBSC014N04LSIATMA1
InfineonBSC014N04LSATMA1
InfineonBSC014N04LSATMA1
Price @ 1000
$ 0.958
$ 0.785
$ 0.785
Stock
853,522
1,235,845
1,235,845
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
32 A
32 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
1.45 mΩ
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
96 W
96 W
Input Capacitance
4 nF
4.3 nF
4.3 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRF7946TRPBF
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Détails
InfineonAUIRF7738L2TR
Trans MOSFET N-CH 40V 35A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
Détails
onsemiFDB9403-F085
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB / Trans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIPB120N04S402ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
Détails
onsemiFDMS015N04B
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 100A, 1.5mΩ
Détails
VishaySQM120N04-1M7L_GE3
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC014N04LSIATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.0012 ohm, TDSON, Surface Mount
EBV Elektronik
New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer technology.
Infineon
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Po
element14 APAC
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 195 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 2 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 11 / Rise Time ns = 50 / Turn-OFF Delay Time ns = 55 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TDSON-8 FL / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 96
Distrelec

Images

Farnell
TME
LZChips
Future Electronics
RS

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC014N04LSI
  • SP000953212