onsemi FDMS015N04B
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-02-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 16 hours ago)
LTB Date2025-01-05
LTD Date2025-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 16 hours ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7946TRPBF
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPB120N04S402ATMA1
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / OptiMOS-T2 Power-Transistor
InfineonIRFH7004TRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
VishaySQM120N04-1M7L_GE3
375KW 20V 2.5V 190nC@ 10V 40V 1.7mΩ@ 10V 11.685nF@ 20V TO-263 glue mount 4.83mm(height)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS015N04B fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 100A, 1.5mΩ
Power Field-Effect Transistor, 31.3A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
2.5W(Ta)，104W(Tc) 20V 4V@ 250µA 118nC@ 10V 1individualNChannel 40V 1.5mΩ@ 50A,10V 31.3A，100A 8.725nF@20V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)31.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.725 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.5 mΩ
Rise Time24 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time34 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité