Infineon AUIRF4905S
$ 3.405
Obsolete
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 3.405
$ 1.21
$ 1.21
Stock
56,433
1,881,820
1,881,820
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-55 V
-55 V
-55 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
20 mΩ
20 mΩ
20 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
170 W
150 W
150 W
Input Capacitance
3.5 nF
3.5 nF
3.5 nF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2022-09-30
LTD Date2023-03-31
Pièces détachées
InfineonIRF4905SPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -44A; 0.02ohm; 170W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
Descriptions
Descriptions de Infineon AUIRF4905S fournies par ses distributeurs.
Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, P-CH, -55V, 150DEG C, 170W; Available until stocks are exhausted Alternative available
TUBE / Automotive MOSFET P channel -55V, 20mOhm, 75A, 120nC, D2Pak
200W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 180nC@ 10 V 1P 55V 20m¦¸@ 42A,10V 42A 3.5nF@25V D2PAK 5.08mm
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-55 V
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance20 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation170 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time99 ns
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time20 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité