Infineon IRF4905SPBF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Pièces détachées
InfineonAUIRF4905STRL
Automotive Q101 -55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRF4905STRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 55 V, 70 A, 20 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
onsemiHUFA75329S3ST
128W(Tc) 4V@ 250µA 75nC@ 20V 1individualNChannel 55V 24mΩ@ 49A,10V 1.06pF@25V D2PAK SMD mount
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF4905SPBF fournies par ses distributeurs.
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -70V; -44A; 0.02ohm; 170W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 20Milliohms;ID -70A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-2
P-Ch MOSFET 170W(Tc) 20V 4V@250µA 180nC@10V 55V 20mΩ@42A,10V 42A 3.5nF@25V D2PAK SMD 5.08mm H
Single P-Channel 55 V 20 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: D2PAK Polarity: P Power dissipation: 200 W
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-55V; Continuous Drain Current, Id:-42A; On Resistance, Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage-55 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-55 V
Dual Supply Voltage-55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Manufacturer Package IdentifierD2Pak
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance20 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation170 W
Rds On Max20 mΩ
Recovery Time92 ns
Resistance20 mΩ
Rise Time99 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.54 mm
Width10.54 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité