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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTW12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW15NK90Z
N-CHANNEL 900V - 0.40͐2;6; - 15A - TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET
Descriptions
Descriptions de onsemi FQA13N80 fournies par ses distributeurs.
800V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
800V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:12.6A; Resistance, Rds On:0.75ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-3P; Current, Idm Pulse:50.4A; No. of Pins:3; Power Dissipation:300W; Power, Pd:300W; Power, Ptot:300W; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:800V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.6 A
Current Rating12.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time155 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité