onsemi FQA13N80-F109
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-04-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTP12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTW12NK90Z
N-channel 900 V, 0.72 Ohm, 11 A, TO-247 Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de onsemi FQA13N80-F109 fournies par ses distributeurs.
MOSFET Transistor, N Channel, 12.6 A, 800 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 12.6 A, 750 mΩ, TO-3P
Single N-Channel 800 V 0.75 Ohm 88 nC 300 W DMOS Flange Mount Mosfet - TO-3PN
MOSFET, N-CH, 800V, 12.6A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12.6A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.58ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V;
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -0.88%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max750 mΩ
Rise Time150 ns
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time155 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height18.9 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité