Diodes Inc. DMS2120LFWB-7
$ 0.197
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMS2120LFWB-7 | 0 | 1 | 10h | ||||||||
| Avnet | DMS2120LFWB-7 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| Future Electronics | DMS2120LFWB-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Mouser | 621-DMS2120LFWB-7 | 2 940 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-DMS2120LFWB-7 | 158 900 | 355 | 22h |
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Modèles CAO
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Fiches techniques et documents
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMS2120LFWB-7 fournies par ses distributeurs.
1.5W(Ta) 12V 1.3V@ 250¦ÌA 1P 20V 95m¦¸@ 2.8A,4.5V 2.9A 632pF@10V WDFN-30208 3mm*2mm*780¦Ìm
P-Channel 20 V 95 mOhm Enhancement Mode Mosfet - DFN-8
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A Automotive 8-Pin DFN T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH INTEGRATED SBR, 20V, 2.9A
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight37.393021 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance632 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max95 mΩ
Dimensions
Height780 µm
Length3 mm
Width2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité