Diodes Inc. DMP2160UFDB-7
$ 0.209
NRND
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP2160UFDB-7 | 3 815 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP2160UFDB-7 | 2 937 | 1 | 18h | ||||||||
| DigiKey | DMP2160UFDB-7DICT-ND | 711 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMP2160UFDB-7 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP2160UFDB-7 | 0 | 3K |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Fiches techniques et documents
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMS2120LFWB-7
1.5W(Ta) 12V 1.3V@ 250¦ÌA 1P 20V 95m¦¸@ 2.8A,4.5V 2.9A 632pF@10V WDFN-30208 3mm*2mm*780¦Ìm
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMP2160UFDB-7 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 3.8A 6-Pin uDFN2020 T/R
Mosfet, Dual, P-Ch, 20V, 3.8A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2160UFDB-7
MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN / Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin DFN T/R
Dual P-Channel 20 V 1.4 W 6.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-6
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time12.09 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance536 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max70 mΩ
Rise Time12.09 ns
Turn-Off Delay Time55.34 ns
Turn-On Delay Time11.51 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2 mm
Width2 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité