Diodes Inc. DMN2050LFDB-13
$ 0.179
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN2050LFDB-13 | 20 000 | 10K | 13h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN2050LFDB-13 | 2 702 | 1767 | |||||||||
| DigiKey | DMN2050LFDB-13DICT-ND | 698 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN2050LFDB-13 | 0 | 10K | 4h | ||||||||
| Mouser | 621-DMN2050LFDB-13 | 38 107 | 1 | Tape & Reel |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Fiches techniques et documents
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMP2066UFDE-7
Mosfet, P-Ch, 20V, 6.2A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066UFDE-7
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN2050LFDB-13 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 20V 4.5A 6-Pin DFN T/R
1.42W 12V 1V@ 250¦ÌA 12nC@ 10V 2N 20V 45m¦¸@ 5A,4.5V 3.3A 389pF@10V UDFN-20206 2mm*2mm*560¦Ìm
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin UDFN EP T/R
MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance389 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.42 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max45 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time5 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant