Vishay SIS434DN-T1-GE3

Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
$ 0.49
NRND

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Vishay SIS434DN-T1-GE3.

Farnell

Datasheet12 páginasHace 4 años
Datasheet13 páginasHace 13 años
Datasheet7 páginasHace 15 años
Datasheet7 páginasHace 16 años
Datasheet13 páginasHace 11 años

Upverter

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-70.55%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Vishay SIS434DN-T1-GE3 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

InfineonAUIRFR3504Z
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Single N-Channel 40V 5.5 mOhm 59 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Single N-Channel 40V 9 mOhm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Mosfet, N-Ch, 30V, 43A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3010LK3-13
Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin Power 56 T/R
30V,35A,6.8M0,NCH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET

Descripciones

Descripciones de Vishay SIS434DN-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 40 V 0.0076 Ohm 52 W SMT Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 / Trans MOSFET N-CH 40V 17.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 | Siliconix / Vishay SIS434DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 17.6A I(D), 40V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
3.8W(Ta),52W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 40nC@ 10 V 1N 40V 7.6m¦¸@ 16.2A,10V 35A 1.53nF@20V 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
MOSFET,N CH,40V,35A,POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):6.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation Pd:3.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:17.6A; Power Dissipation Pd:3.8W; Voltage Vgs Max:20V

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SIS434DN-T1-GE3.