onsemi FDD068AN03L
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Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN3010LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD30N03S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 N-Channel 30 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD068AN03L suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
30V,35A,6.8M0,NCH, DPAK, POWER TRENCH MOSFET
80W(Tc) 2.5V@ 250µA 60nC@ 10V 1individualNChannel 30V 5.7mΩ@ 35A,10V 2.525pF@15V TO-252AA SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:35A; On-Resistance, Rds(on):5.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-252AA; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time61 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.525 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max5.7 mΩ
Rise Time171 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento