Infineon IRFR4104TRPBF
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Mount
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Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
5.5 mΩ
5.5 mΩ
5.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
2.95 nF
2.95 nF
2.95 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
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Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFR4104TRPBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 40V 5.5 mOhm 59 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC
MOSFET, N-CH, 40V, 42A, TO-252AA; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 140W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 119 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 40 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 5.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 36 / Rise Time ns = 69 / Turn-OFF Delay Time ns = 37 / Turn-ON Delay Time ns = 17 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 140
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Current Rating42 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.95 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max5.5 mΩ
Resistance5.5 MΩ
Rise Time69 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento