Vishay IRFS9N60ATRLPBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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STMicroelectronicsSTB10NK60ZT4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 0.75ohm; 115W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
STMicroelectronicsSTB9NK60ZT4
N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB10N60M2
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Descripciones
Descripciones de Vishay IRFS9N60ATRLPBF suministradas por sus distribuidores.
IRFS9N60A Series 600 V 0.75 Ohms Single N-Channel SMT Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N Channel Mosfet, 600V, 9.2A, D2Pak, Full Reel; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:9.2A; On Resistance Rds(On):0.75Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: No
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation170 W
Rds On Max750 mΩ
Resistance750 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento