STMicroelectronics STB10N60M2
$ 0.737
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-STB10N60M2CT-ND | 203 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STB10N60M2 | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| Future Electronics | STB10N60M2 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | STB10N60M2 | 0 | 1K | |||||||||
| Mouser | 511-STB10N60M2 | 1071 | 1 | Tape & Reel |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB10N60M2 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STB10N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 650 V, 3-Pin D2PAK
N-Channel 600 V 0.6 Ohm Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
(CP22-1034) Transistor STB10N60M2 600V N Chanel Mosfet TO263
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.31%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation85 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time32.5 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant