onsemi FDB12N50TM
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDB12N50TM | 410 | 237 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDB12N50TM | 573 | 3h | |||||||||
| DigiKey | FDB12N50TMCT-ND | 505 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | FDB12N50TM | 0 | 800 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDB12N50TM | 0 | 200 | Bulk |
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Cadena de suministros
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDB12N50TM suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 11.5 A, 650 mΩ, D2PAK
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 11.5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor FDB12N50TM
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UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance650 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.315 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation165 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation165 W
Rds On Max650 mΩ
Resistance650 MΩ
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento