onsemi FDB12N50FTM-WS
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-01-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Componentes relacionados
VishayIRFS11N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTB11NK50ZT4
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4.5 A, 0.48 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTB13NK60ZT4
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A D2PAK Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de onsemi FDB12N50FTM-WS suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, FRFET®, 500 V, 11.5 A, 700 mΩ, D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode’s reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100nsec and the reverse dv/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200nsec and 4.5V/nsec respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET’s body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.395 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation165 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation165 W
Rds On Max700 mΩ
Resistance700 MΩ
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento