STMicroelectronics STV300NH02L
$ 3.439
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | STV300NH02L | 0 | 50 | Bulk | 8h | |||||||
| Farnell | STV300NH02L | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| Microchip USA | STV300NH02L | 245 | 600 | Tray | 10h | |||||||
| Win Source | WS-STV300NH02L | 2400 | 5 | 17h | ||||||||
| Worldway Electronics | STV300NH02L | 24.405 | 7 | Tape & Reel | 16h |
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMorocco
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2021-11-07
LTD Date2022-05-07
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Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STV300NH02L suministradas por sus distribuidores.
STV300NH02L N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 280 A, 24 V, 10-PIN POWERSO
Power MOSFET Transistors N Ch 24V 0.8m 280A Pwr MOSFET
N-CHANNEL 24 V-0.8 MILLI OHM-280 A-POWER SO-10 STRIPFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 280A I(D), 24V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 24V, 280A, POWERSO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 280A; Drain Source Voltage Vds: 24V; On Resistance Rds(on): 800µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.5V; Po
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins10
Number of Terminals10
Technical
Continuous Drain Current (ID)280 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time94.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.055 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max1 mΩ
Resistance1 MΩ
Rise Time275 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time138 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height3.75 mm
Length9.6 mm
Width9.5 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant