Infineon IRF6898MTRPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2020-07-15
LTD Date2021-01-15
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Power Field-Effect Transistor, 190A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF6898MTRPBF suministradas por sus distribuidores.
HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode | MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET and Schottky Diode in a DirectFET MX package rated at 35 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
MOSFET, N-CH, 25V, 213A, DIRECTFET MX; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 213A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 800µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6
Benefits: RoHS Compliant; 100% Rg tested; Low Profile (less than 0.7 mm); Dual Sided Cooling; Low Conduction Losses; Optimized for High Frequency Switching; Low Package Inductance; Integrated Monolithic Sckottky Diode | Target Applications: MultiPhase SyncFET
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance5.435 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Manufacturer Package IdentifierMG-WDSON-5
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.1 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation78 W
Rds On Max1.1 mΩ
Rise Time46 ns
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento