onsemi FDD8870
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-11-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
InfineonIRLR7843TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
InfineonIRLR7843PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
InfineonIRLR7843TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD8870 suministradas por sus distribuidores.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 30V, 160A, 3.9mΩ
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Current Rating160 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.16 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation160 W
Rds On Max3.9 mΩ
Resistance4.4 MΩ
Rise Time83 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time83 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento