Infineon IRF6716MTRPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Componentes relacionados
InfineonIRF6898MTRPBF
HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode | MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
STMicroelectronicsSTL150N3LLH5
N-channel 30 V, 0.0014 Ohm typ., 35 A STripFET(TM) V Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF6716MTRPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 25V 39A 7-Pin Direct-FET MX T/R
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MX package rated at 39 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
N Channel, MOSFET, 25V, 39A, DirectFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)39 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Manufacturer Package IdentifierMG-WDSON-5
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.6 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time105 ns
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height700 µm
Length6.35 mm
Width5.05 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento