STMicroelectronics STP12NM50
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP15NK50Z
N-Channel 500 V 340 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220
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N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP12NM50 suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET N Channel 500 Volt 12 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube
N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 12A TO-220 MDmesh(TM) POWER MOSFET
N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET / Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N Channel Mosfet, 550V, 12A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:550V; Continuous Drain Current Id:12A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP12NM50.
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance350 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max350 mΩ
Resistance350 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height19.68 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant