STMicroelectronics STP19NM50N
$ 1.98
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.26%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STP19NM50N.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STP19NM50N desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP18NM60N
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP23NM50N
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
STMicroelectronicsSTP14NM50N
N-channel 500 V, 0.28 Ohm, 12 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
onsemiFCP260N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP19NM50N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
STP19NM50N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 500 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Through Hole
14 A 500 V 0.25 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.26%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 mΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STP19NM50N.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant