onsemi FDP15N40
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92W 20V 3.5V 32.6nC@ 10V 1N 550V 280m¦¸@ 13V 13A 773pF@ 100V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
Descripciones
Descripciones de onsemi FDP15N40 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, N CH, 400V, 0.24OHM, 15A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Conti
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 400V, 15A, 300mΩ, TO-220
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 400V, 15A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.24ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:170W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation170 W
Rds On Max300 mΩ
Resistance300 MΩ
Rise Time55 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento