STMicroelectronics STF21N65M5
$ 2.236
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | STF21N65M5 | 37 | 1 | 2h | ||||||||
| DigiKey | 497-11393-5-ND | 304 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | STF21N65M5 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | STF21N65M5 | 0 | 1K | 5d | ||||||||
| Future Electronics | STF21N65M5 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF25NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF21N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.150 Ohm typ., 17 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220FP package
STF21N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 650 V, 3-Pin TO-220FP
Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
30W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 50nC@ 10 V 1N 650V 190m¦¸@ 8.5A,10V 17A 1.95nF@100V TO-220FP 10.4mm
650 V, 0.175 OHM, 17 A TO-220FP N-CHANNEL MDMESH V POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 650V, 17A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Pow
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.95 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max179 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant