STMicroelectronics STF28NM50N
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MOSFET, N-CH, 500V, 18A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
InfineonIPAW60R190CEXKSA1
In a Tube of 450, N-Channel MOSFET, 26.7 A, 600 V, 3 + Tab-Pin TO-220FP Infineon IPAW60R190CEXKSA1
STMicroelectronicsSTP17NK40ZFP
N-CHANNEL 400V - 0.23 Ohm - 15A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF28NM50N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
STF28NM50N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 21 A, 500 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
500 V, 21 A, 0.135 OHM, TO-220FP, N-CHANNEL MDMESH II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 500V, 21A, TO 220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Po
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +33.82%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance158 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.735 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max158 mΩ
Resistance158 MΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time13.6 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant