onsemi MJD112T4G

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
$ 0.265
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi MJD112T4G.

JRH Electronics

Datasheet8 páginasHace 15 años

Upverter

IHS

Farnell

onsemi

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+1.22%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi MJD112T4G desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.265
$ 0.241
$ 0.241
Stock
5,105,799
505,579
505,579
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
2 A
Transition Frequency
25 MHz
25 MHz
25 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
2 V
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
-
-
-

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Componentes relacionados

onsemiMJD112G
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
onsemiMJD112RLG
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
onsemiMJD112TF
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Diodes Inc.MJD31C-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Diodes Inc.ZXT1053AKTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Surface Mount

Descripciones

Descripciones de onsemi MJD112T4G suministradas por sus distribuidores.

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistors (BJT); MJD112T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 2 A
MJD Series 100 V 2 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252
ON SEMI MJD112T4G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 4 A 100 V HFE:200, 3-PIN DPAK
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK / Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-252AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 25MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Tr

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • MJD112T4G.