onsemi MJD112TF
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-02-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXT1053AKTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi MJD112TF suministradas por sus distribuidores.
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
MJD112 Series 100 V 2 A SMT NPN Silicon Darlington Transistor - TO-252-3
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK / Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 25MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Tran
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency25 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento