onsemi MJD112G
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6
6
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-
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Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
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Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
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Transition Frequency
25 MHz
25 MHz
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Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
2 V
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
-
-
-
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi MJD112G suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
TRANSISTOR, DARLINGTON, SI, NPN, POWER, SWITCH, VO 100VDC, VI 5VDC, IO 2ADC, PD 20W
MJD Series 100 V 2 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252-3
Transistor MJD112 NPN Darlington 2A 100V DPAK package
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 25MHz; Power Dissipation Pd: 1.75W; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 12000hFE; Transistor Case
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current2 A
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency25 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento