onsemi HUF75545P3
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Stock
375,197
109,047
Authorized Distributors
6
1
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-220AB
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
-
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
10 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
270 W
-
Input Capacitance
3.75 nF
-
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;TO-220AB;PD 230W;gFS 38S
Descripciones
Descripciones de onsemi HUF75545P3 suministradas por sus distribuidores.
FAIRCHILD HUF75545P3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 75 A, 55 V, 3-PIN TO-220AB
N-Channel 80 V 0.01 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
N-Channel UltraFET Power MOSFET 80V, 75A, 10mΩ
Trans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 80V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.75 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation270 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation270 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 mΩ
Rise Time125 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage80 V
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento