onsemi FDP050AN06A0
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-02-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRF1010EPBF
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55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDP050AN06A0 suministradas por sus distribuidores.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; 245W; TO220; PowerTrench®
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 5mΩ
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Through Hole
FDP050AN06A0 Series 60 V 80 A 5 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - TO-220-3
MOSFET, N CH, 60V, 18A, TO-220AB-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; P
60 V, 80 A, 5 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.9 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation245 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation245 W
Rds On Max5 mΩ
Resistance5 MΩ
Rise Time160 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento