onsemi FQB34P10TM
$ 1.388
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FQB34P10TM | 2400 | 800 | 6h | ||||||||
| Newark | FQB34P10TM | 1576 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | FQB34P10TM | 7 | 1 | |||||||||
| Verical | FQB34P10TM | 2400 | 800 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQB34P10TM | 800 | 4h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIPB083N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi FQB34P10TM suministradas por sus distribuidores.
TRANSISTOR, P-CHANNEL, QFET MOSFET, -100V, -33.5A, 60 MOHM, 175C MAX, D2PAK
Transistor: P-MOSFET; unipolar; 100V; 23.5A; 155W; D2PAK; QFET®
P-Channel QFET® MOSFET -100V, -33.5A, 60mΩ
P-Channel 100 V 0.06 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:33.5mA; On Resistance, Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)33.5 A
Current Rating-34 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.91 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation155 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time250 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento