Infineon IPB083N10N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Farnell
3
IPB083N10N3GATMA101Cut Tape
16h
Component Stockers USAIPB083N10N3GATMA16800
>1wk
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IPB083N10N3G26651Tape & Reel
22h
Win Source
2
WS-IPB083N10N3G25.00055
22h
Worldway Electronics
3
IPB083N10N3 G18.9077
21h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPB083N10N3GATMA1.

IHS

Datasheet12 páginasHace 12 años

Factory Futures

Burklin Elektronik

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-100%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPB083N10N3GATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

Componentes relacionados

InfineonIPB052N04N G
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Detalles
InfineonIPB054N08N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Detalles
InfineonIPB049NE7N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Detalles
onsemiFDB8445
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 70A, 9mΩ
Detalles
onsemiFQB34P10TM
TRANSISTOR, P-CHANNEL, QFET MOSFET, -100V, -33.5A, 60 MOHM, 175C MAX, D2PAK
Detalles
onsemiFQB55N10
3.75W 25V 4V 75nC@ 10V 100V 26m¦¸@ 10V 2.1nF@ 25V TO-263
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IPB083N10N3GATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 80A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0072oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell

Imágenes

Augswan
TME
Farnell
TME
Burklin Elektronik
RS
Future Electronics
LZChips

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPB083N10N3 G
  • IPB083N10N3-G
  • IPB083N10N3G
  • IPB083N10N3GXT
  • SP000458812