onsemi FDMS4435BZ
$ 0.403
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDMS4435BZ | 84 | 2778 | 3d | ||||||||
| Newark | FDMS4435BZ | 373 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDMS4435BZ | 1500 | 930 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS4435BZ | 1500 | 13h | |||||||||
| DigiKey | FDMS4435BZCT-ND | 2871 | 1 | Cut Tape |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-03-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMP3035LSS-13
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InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7811AVTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 10.8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Descripciones
Descripciones de onsemi FDMS4435BZ suministradas por sus distribuidores.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -18 A, 20 mΩ | MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -18A, 20mΩ
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, P CH, 30V, 18A, POWER56; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:39W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage-1.9 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento