Diodes Inc. DMP3035LSS-13
$ 0.262
NRND
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMP3035LSS-13 | 0 | 1 | 40m | ||||||||
| Avnet | DMP3035LSS-13 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Mouser | 621-DMP3035LSS-13 | 1424 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | DMP3035LSS-13 | 137.613 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-DMP3035LSS-13 | 28.200 | 180 | 10h |
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Modelos CAD
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Fichas técnicas y documentos
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 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMP3035LSS-13 suministradas por sus distribuidores.
P-Channel 30 V 16 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
2W(Ta) 25V 2V@ 250¦ÌA 30.7nC@ 10 V 1P 30V 16m¦¸@ 8A,10V 11A 1.655nF@20V SOIC-8 5.3mm*4.1mm*1.5mm
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOP T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.995985 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.655 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max16 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento