Infineon IRLR3110ZTRPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRLR3110ZTRPBF | 26.000 | 2K | 13h | ||||||||
| Newark | IRLR3110ZTRPBF | 10.752 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRLR3110ZTRPBF | 18.000 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP12633 | 110.000 | 2K | 18h | ||||||||
| Rochester Electronics | IRLR3110ZTRPBF | 1250 | 10h |
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$ 0.659
$ 0.877
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Stock
1,418,299
1,945,006
1,945,006
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.98 nF
3.98 nF
3.98 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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InfineonIRFR3710ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 15Milliohms;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
STMicroelectronicsSTD47N10F7AG
Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRLR3110ZTRPBF suministradas por sus distribuidores.
TAPE AND REEL / MOSFET, 100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
Single N-Channel 100 V 16 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 100V, 42A, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Source Voltage Vds:100V; On Resistance
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.98 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento