onsemi FDD16AN08A0-F085
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2021-02-17
LTD Date2021-08-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFR2307ZTRLPBF
Mosfet Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 0.0128 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIRFR2405TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0118Ohm;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
InfineonIRFR2405PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0118Ohm;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
VishaySQD40N06-14L_GE3
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 60 V, 0.011 Ohm, 10 V, 2 V Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD40N06-14L-GE3
Descripciones
Descripciones de onsemi FDD16AN08A0-F085 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel UltraFET® Trench MOSFET, 75V, 50A, 13mΩ
Trans MOSFET N-CH 75V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET N-CH 75V 9A/50A TO252AA
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.874 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation135 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time54 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento