Infineon IRFB4610PBF
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Authorized Distributors
3
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
73 A
73 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
190 W
190 W
Input Capacitance
3.55 nF
3.55 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-10-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 14Milliohms;ID 59A;TO-220AB;PD 160W;-55deg
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFB4610PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 11Milliohms;ID 73A;TO-220AB;PD 190W;-55deg
Single N-Channel 100 V 14 mOhm 90 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)73 A
Current Rating73 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.55 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation190 W
Rds On Max14 mΩ
Recovery Time53 ns
Resistance14 mΩ
Reverse Recovery Time35 ns
Rise Time87 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height19.8 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.54 mm
Width4.69 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento