Infineon IRF6643TRPBF

Single N-Channel 150 V 34.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
$ 0.911
Obsolete
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Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIRF6643TRPBF441Cut Tape
Rochester ElectronicsIRF6643TRPBF133
13m
DigiKey
2
IRF6643TRPBFCT-ND31Cut Tape
RS (Formerly Allied Electronics)IRF6643TRPBF271Bulk
14h
Arrow Electronics
2
IRF6643TRPBF14.3651

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF6643TRPBF.

Newark

Datasheet10 páginasHace 13 años

IHS

Future Electronics

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIRF6643TRPBF
InfineonIRF6643TR1PBF
InfineonIRF6643TR1PBF
Price @ 1000
$ 0.911
$ 3.65
$ 3.65
Stock
346,880
136,803
136,803
Authorized Distributors
6
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
6.2 A
6.2 A
6.2 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
4 V
Rds On Max
34.5 mΩ
34.5 mΩ
34.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.8 W
-
-
Input Capacitance
2.34 nF
2.34 nF
2.34 nF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-10-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF6643TRPBF suministradas por sus distribuidores.

Single N-Channel 150 V 34.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
Verical
A 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 35 amperes optimized with low on resistance for applications such as active ORing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
International Rectifier
N CHANNEL MOSFET, 150V, 6.2mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.2mA; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon

Imágenes

Newark
RS
RS (Formerly Allied Electronics)
element14 APAC
element14 APAC
RS
TME
Future Electronics
International Rectifier

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF6643
  • IRF6643TRPBF.
  • SP001570070