Vishay SUD25N15-52-E3
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Descripciones
Descripciones de Vishay SUD25N15-52-E3 suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 150 V 0.052 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
SUD25N15-52-E3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 25 A, 150 V, 3-PIN TO-252
MOSFET N-CH 150V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 150V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 150V, 25A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):52mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:100W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; Current Id Max:25A; Package / Case:TO-252; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -10.38%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance400 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max200 mΩ
Resistance52 mΩ
Rise Time70 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height2.507 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento