onsemi FDD2572
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Stock
490,281
850,419
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
54 mΩ
54 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
135 W
135 W
Input Capacitance
1.77 nF
1.77 nF
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDD2572 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 29A, 54mΩ
N-Channel 150 V 54 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, SMD, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):54mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:135W; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:29A; Package / Case:TO-252AA; Power Dissipation Pd:135W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating29 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance54 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.77 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation135 W
Rds On Max54 mΩ
Resistance54 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento